IRF520

Descripción completa del producto

El IRF520N es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia. Es ideal para proyectos de electrónica en sistemas de control de motores, reguladores de voltaje, y circuitos de potencia en general, gracias a su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes con baja resistencia interna.

Características eléctricas:

Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 100V
Corriente de drenaje (Id): 9.2A (a 25 °C)
Resistencia drenaje-fuente (Rds(on)): 0.27Ω (a Vgs = 10V)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2V - 4V
Máximo voltaje de compuerta-fuente (Vgs): ±20V

Dimensiones:

Encapsulado: TO-220
Longitud del cuerpo: 10 mm
Ancho del cuerpo: 4.5 mm
Altura total (con pines): 16 mm